มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB826.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB883.82

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

มีสต็อกจำกัด

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

*price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Cree
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	31 A
	Maximum Drain Source Voltage	1200 V
	Maximum Drain Source Resistance	208 mΩ
	Maximum Gate Threshold Voltage	3.2V
	Minimum Gate Threshold Voltage	1.7V
	Maximum Gate Source Voltage	-10 V, +25 V
	Package Type	TO-247
	Mounting Type	Through Hole
	Transistor Configuration	Single
	Pin Count	3
	Channel Mode	Enhancement
	Category	Power MOSFET
	Maximum Power Dissipation	208 W
	Length	16.13mm
	Dimensions	16.13 x 5.21 x 21.1mm
	Transistor Material	SiC
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Typical Gate Charge @ Vgs	49.2 nC @ 20 V
	Typical Input Capacitance @ Vds	950 pF @ 1000 V
	Width	5.21mm
	Number of Elements per Chip	1
	Typical Turn-Off Delay Time	23.2 ns
	Typical Turn-On Delay Time	12 ns
	Height	21.1mm
	Maximum Operating Temperature	+150 °C

	เลือกทั้งหมด
	Brand Cree
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 31 A
	Maximum Drain Source Voltage 1200 V
	Maximum Drain Source Resistance 208 mΩ
	Maximum Gate Threshold Voltage 3.2V
	Minimum Gate Threshold Voltage 1.7V
	Maximum Gate Source Voltage -10 V, +25 V
	Package Type TO-247
	Mounting Type Through Hole
	Transistor Configuration Single
	Pin Count 3
	Channel Mode Enhancement
	Category Power MOSFET
	Maximum Power Dissipation 208 W
	Length 16.13mm
	Dimensions 16.13 x 5.21 x 21.1mm
	Transistor Material SiC
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Typical Gate Charge @ Vgs 49.2 nC @ 20 V
	Typical Input Capacitance @ Vds 950 pF @ 1000 V
	Width 5.21mm
	Number of Elements per Chip 1
	Typical Turn-Off Delay Time 23.2 ns
	Typical Turn-On Delay Time 12 ns
	Height 21.1mm
	Maximum Operating Temperature +150 °C

Cree C2M0080120D N-channel SiC MOSFET Transistor, 31.6 A, 1200 V, 3-pin TO-247